1. 전자산업
공정에서 CF4, C2F6, C4F6, C5F8, NF3, SF6등이 사용
= 실리콘 포함 물질의 플라즈마 식각에 사용
= 실리콘 침전 화학증착(CVD)기구 내벽 세정에 사용
생산과정에서 CF4, C2F6, CHF3, C3F8로 전환되기도함
보고대상시설
식각시설
= 산이나 알칼리용액에 표면처리위해 담그거나
= 원료 및 제품을 중화시키는 시설
= 전자산업에서는 금속표면을 부분적, 전체적으로 용해제거
증착시설
= 원료화합물을 화학반응시켜 반도체 위에 박막층을 형성하는 공정
※ 웨이퍼가공공정
산화공정-감광액도포-노광공정-현상-식각공정-이온주입공정-증착공정-금속배선공정
보고대상온실가스
반도체,LCD,PV의 불소화합물만 Tier 1,2,3
열전도유체의 불소화합물만 Tier 2
규모에 따라서
산정방법론 반도체, LCD, PV는 1,2,2 열전도유체는 모두 1
생산량 동일(1,2,2), 열전도유체는 1,2,3
순발열량 없음
배출계수 동일(1,2,2), 없음
2. 외부로부터의 열, 전기 공급
3. 철
4. 합금철
5. 아연
6. 납
7. 마그네슘
8. 코크스제조
9. 수소제조
10. 촉매재생
11. 암모니아
12. 질산
13. 아디프산
14. 카바이드
15. 소다회
16. 석유화학제품
17. 불소화합물
18. 카프로락탐
19. 연료전지
수소와 산소의 반응 화학적에너지를 전기에너지로 변환하는 발전장치
수소생산시 탄화수소와 물을 반응시켜 CO2 발생
보고대상 : CO2 Tier 1,2,3,4
규모에 따라서 : 산정방법론=생산량(1,2,3), 순발열량 없음, 배출계수(2,2,3)
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